トランジスタのE−B接合ブレークダウンによるhFE,ノイズ劣化

2008年03月26日

トランジスタのE−B接合ブレークダウンによるhFE,ノイズ劣化

130 熱暴走 ◆2SA784NN.A sage 04/04/13 23:11 ID:u3H4Spoz
web上を探したけど、似たような資料が無かったのでハンドコピペ。

NECデータブック シリコン小信号トランジスタ ’96.8の技術資料
「トランジスタのE−B接合ブレークダウンによるhFE,ノイズ劣化」
より抜粋

1)hFE劣化は、ブレークダウンしたその瞬時に最も激しく、その後は
  時間を掛けてもあまり劣化しない。
2)hFE劣化は、ブレークダウン時間より、ブレークダウン電流依存性
  の方が大きい。
3)hFE劣化は、小電流領域で著しい。
3)hFE劣化は、高温保管、電力エージングすることにより回復するので
  永久劣化ではない。しかし、初期値まで回復するものは少ない。
3)hFE劣化を回復させるには、高温保管よりも電力試験エージングが
  有効である。
   ;
1)ノイズ劣化はin(等価入力電流雑音源)成分が寄与している。
2)ノイズ劣化もhFE劣化同様、ブレークダウンした瞬時に著しく現れ、
  また、ブレークダウン電流値が大きい程激しい。

アナログCMOS集積回路の設計
このエントリーをはてなブックマークに追加
posted by ものねた at 12:01 | 発信回路とか | このブログの読者になる | 更新情報をチェックする