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2008年03月26日
トランジスタのＥ−Ｂ接合ブレークダウンによるｈFE，ノイズ劣化
130 熱暴走 ◆2SA784NN.A sage 04/04/13 23:11 ID:u3H4Spoz
ｗｅｂ上を探したけど、似たような資料が無かったのでハンドコピペ。
ＮＥＣデータブック シリコン小信号トランジスタ ’９６．８の技術資料
「トランジスタのＥ−Ｂ接合ブレークダウンによるｈFE，ノイズ劣化」
より抜粋
時間を掛けてもあまり劣化しない。
２）ｈFE劣化は、ブレークダウン時間より、ブレークダウン電流依存性
の方が大きい。
３）ｈFE劣化は、小電流領域で著しい。
３）ｈFE劣化は、高温保管、電力エージングすることにより回復するので
永久劣化ではない。しかし、初期値まで回復するものは少ない。
３）ｈFE劣化を回復させるには、高温保管よりも電力試験エージングが
有効である。
；
１）ノイズ劣化はin（等価入力電流雑音源）成分が寄与している。
２）ノイズ劣化もｈFE劣化同様、ブレークダウンした瞬時に著しく現れ、
また、ブレークダウン電流値が大きい程激しい。
アナログCMOS集積回路の設計
posted by ものねた at 12:01
| 発信回路とか
